18N50 Power MOSFET [ 500v 18A 277w ] OLD Mosfet 18N50 [ 2 Pieces Pack ]

• ype Designator: 18N50
• Type of Transistor: MOSFET
• Type of Control Channel: N-Channel

Absolute Maximum Ratings

• Pd ⓘ – Maximum Power Dissipation: 277 W
• |Vds|ⓘ – Maximum Drain-Source Voltage: 500 V
• |Vgs|ⓘ – Maximum Gate-Source Voltage: 30 V
• |Id| ⓘ – Maximum Drain Current: 18 A
• Tj ⓘ – Maximum Junction Temperature: 150 °C

Electrical Characteristics

• |VGSth|ⓘ – Maximum Gate-Threshold Voltage: 4 V
• Qg ⓘ – Total Gate Charge: 45 nC
• tr ⓘ – Rise Time: 165 nS
• Cossⓘ – Output Capacitance: 330 pF
• RDSonⓘ – Maximum Drain-Source On-State Resistance: 0.24 Ohm